🔹 Опис товару

Виробник: Global Power Semiconductor (G-Power)
Серія: G20T135BKR3S

Потужний n-канальний MOSFET транзистор для високовольтних і енергоємних застосувань. Завдяки робочій напрузі 1350 В і струму 20 А, компонент ідеально підходить для інверторів, зварювальних апаратів, імпульсних блоків живлення, систем керування двигунами та промислових перетворювачів енергії.

Корпус TO-247 забезпечує ефективне відведення тепла та стабільну роботу при високих навантаженнях. MOSFET характеризується низьким опором у відкритому стані (Rds(on)) та високою швидкістю перемикання.

Основні характеристики:

• Тип: n-канальний MOSFET

• Модель: G20T135BKR3S

• Максимальна напруга стік-витік (Vds): 1350 В

• Максимальний струм стоку (Id): 20 А

• Корпус: TO-247

• Тип монтажу: крізьотвірний (THT)

• Опір у відкритому стані: низький

• Робоча температура: −55 °C … +150 °C

• Висока швидкість перемикання

• Призначення: інвертори, перетворювачі, блоки живлення, електродвигуни