🔹 Описание товара

Производитель: Global Power Semiconductor (G-Power)
Серия: G20T135BKR3S

Мощный n-канальный MOSFET транзистор, рассчитанный на работу при напряжении 1350 В и токе 20 А. Используется в схемах инверторов, преобразователей, сварочных аппаратов, импульсных блоков питания и систем управления двигателями.

Корпус TO-247 обеспечивает эффективное охлаждение и стабильную работу при больших нагрузках. Транзистор имеет низкое сопротивление открытого канала и высокую скорость переключения.

Основные характеристики:

• Тип: n-канальный MOSFET

• Модель: G20T135BKR3S

• Напряжение сток–исток (Vds): 1350 В

• Максимальный ток стока (Id): 20 А

• Корпус: TO-247

• Тип монтажа: выводной (THT)

• Низкое сопротивление в открытом состоянии

• Рабочая температура: −55 °C … +150 °C

• Быстрое переключение

• Применение: инверторы, преобразователи, блоки питания, двигатели