🔹 Опис товару

Виробник: HY Semiconductor (HY Electronic)
Серія: HYG011N04LS1TA / G011N04

Високопродуктивний n-канальний MOSFET транзистор із наднизьким опором каналу Rds(on) = 0,9 мОм, розрахований на струм до 320 А і напругу до 40 В.
Призначений для високострумових DC–DC перетворювачів, систем живлення, електродвигунів, акумуляторних модулів, контролерів заряду та автомобільної електроніки.

Відзначається високою швидкістю перемикання, низькими втратами потужності й чудовою термостійкістю, що забезпечує стабільну роботу у потужних схемах.

Основні характеристики:

• Тип: n-канальний MOSFET

• Модель: HYG011N04LS1TA (G011N04)

• Максимальна напруга стік–витік (Vds): 40 В

• Максимальний струм стоку (Id): 320 А

• Опір у відкритому стані (Rds(on)): 0,9 мОм

• Тип монтажу: крізьотвірний (THT) або SMD (залежно від модифікації)

• Робоча температура: −55…+150 °C

• Висока швидкість перемикання

• Призначення: DC–DC перетворювачі, акумулятори, автомобільна електроніка, двигуни