🔹 Описание товара

Производитель: HY Semiconductor (HY Electronic)
Серия: HYG011N04LS1TA / G011N04

Высокопроизводительный n-канальный MOSFET транзистор с ультранизким сопротивлением канала Rds(on) = 0,9 мОм, рассчитанный на ток до 320 А и напряжение до 40 В.
Применяется в DC–DC преобразователях, блоках питания, аккумуляторных системах, контроллерах двигателей и автомобильной электронике.

Отличается высокой скоростью переключения, низкими потерями энергии и устойчивостью к перегрузкам.

Основные характеристики:

• Тип: n-канальный MOSFET

• Модель: HYG011N04LS1TA (G011N04)

• Напряжение сток–исток (Vds): 40 В

• Максимальный ток стока (Id): 320 А

• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 0,9 мОм

• Тип монтажа: выводной (THT) или SMD (в зависимости от исполнения)

• Рабочая температура: −55…+150 °C

• Высокая скорость переключения

• Применение: DC–DC преобразователи, аккумуляторы, автомобильная электроника, двигатели