Описание
Характеристики
Информация для заказа
🔹 Транзистор MJD122G NPN мощный, 100 В, 8 А, 40 Вт, корпус TO-252 (DPAK)
Транзистор MJD122G — это NPN кремниевый мощный транзистор в корпусе TO-252 (DPAK), предназначенный для использования в блоках питания, драйверах реле, двигателей, усилителях и импульсных схемах. Обеспечивает высокий ток коллектора (до 8 А) и рабочее напряжение до 100 В, обладает низким насыщением и хорошим тепловым отводом.
Характеристики:
-
Тип транзистора: NPN
-
Напряжение коллектор–эмиттер (Vceo): 100 В
-
Ток коллектора (Ic): 8 А
-
Рассеиваемая мощность: 40 Вт
-
hFE (коэф. усиления): 40–250
-
Корпус: TO-252 (DPAK)
-
Температура работы: −55…+150 °C
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 100 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 8 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 40 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
- Цена: 4,60 ₴
